12月11日，国外媒体报道：IBM正在一步步为推出首款32纳米微处理器而努力。消息说，它已经开发了一种高k金属栅制造技术，其中承诺，以降低漏电从芯片的晶体管，同时降低其芯片总体规模。
据IBM说，首个32纳米芯片（一纳米是亿分之一的一公尺）应可在今年下半年到2009年研制。同时与其5个合作伙伴-AMD，特许半导体（Chartered）、飞思卡尔（Freescale）、英飞凌（Infineon）、三星（Samsung）将会12月10日做出这一宣布的。
IBM公司首先宣布，从2007年1月它一直在制定一项研制高k金属栅的办法。消息公布的同一时候，英特尔开始钻研细节，对自己的铪-基高k金属栅芯片开发技术，首次推出其45纳米线的处理器称为penryn 。
这个概念的高k金属栅技术，是找到一种方式，以减少晶体管功率漏电。鉴于晶体管越来越小，芯片制造商已经开始寻找新的绝缘材料，以保持这个功率漏电的发生。结果，一个改进的绝缘层是一个更好的表演芯片保留了相同的封装，相比前一代的微处理器。
这种微处理器是至关重要的一个资讯科技产业所处的走向越来越多的移动设备，如笔记本电脑，手机和掌上电脑。在同一时间，消费者和它的客户正在寻找设备提供更多的计算机电源结合更好的电池续航力。
根据IBM的说明，新的技术将使得新型处理器是上一代45纳米处理器大小的50%，同时在降低能耗方面提高45%。
到目前为止，IBM和它的合作伙伴已经开发了32纳米sram （静态随机存取记忆体）的细胞，这对于下一代处理器是一个重要的步骤。合作伙伴同时宣布，他们还为32纳米开发了硅绝缘体技术，这将有助于在开发高性能的应用。 IBM在其位于纽约east fishkill设施上已经测试了新的设计。
同时英特尔透露，它使用铪作为绝缘层在其处理器中，而IBM拒绝详细具体的说明其高k金属栅技术。
英特尔也朝着32纳米的微处理器努力研发，预计在2009年研发推出。
责任编辑：杨宇佳
