IBM及其合作开发伙伴日前宣布，新研发用于下一代32纳米组件的high-k/金属闸极(metal gate)技术，将在2009年下半年向IBM合作伙伴及其客户提供。IBM的合作伙伴包括AMD、特许半导体(Chartered)、飞思卡尔(Freescale)、英飞凌(Infineon)、三星(Samsung)和IBM。
利用high-k/金属闸极制程技术，IBM及其伙伴能够把芯片尺寸微缩到比尚未量产的45纳米组件还小50%。采用45纳米制程的组件预计在2008年第一季末开始增加产量。此外IBM表示，其high-k/金属闸极芯片可节省大约45%的整体功率，并使性能提升最多达30%。
IBM与联盟伙伴并已开发、展示了一款32纳米SRAM，其单元(cell)尺寸小于0.15um2。此外该联盟还在32纳米上整合了high-k绝缘上覆硅(SOI)技术，针对高性能应用。这种high-k材料的特性，号称能使晶体管速度比上一代高性能SOI技术提高30%。
IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton表示：“这项业界领先开发成果的实现，利用了六家伙伴公司的工程人才，以及世界级的研发设备，如Albany纳米技术研究中心，这样才能保持具竞争力的发展蓝图。”而在另一方面，英特尔(Intel)也发表了32纳米技术。不过Patton相信：“IBM是第一个开发出针对低功耗及高性能应用的32纳米有效(working) SRAM。”
市场研究公司Gartner预测，对芯片厂商来说，32纳米制程开发成本可能高达30亿美元，是65纳米技术的两倍。而32纳米晶圆厂的建造成本估计高达35亿美元。
责任编辑：杨宇佳
