【赛迪网讯】就IBM及其技术联盟而言，将是一个新时代的到来。近日其宣布已研发出32nm工艺制程的晶圆芯片，同时采用了先进的High-K金属栅极技术。在日后的工作中，他们的重点将该芯片的功耗进行进一步完善，以提高性能功耗比。
在本次研发的32nm晶圆芯片中，采用了一种全新的技术，那就是High-K金属栅极技术。该技术采用铪元素物质，降低原子间漏电现象，因此其芯片的最大特点就是低功耗。在相同电压下，其能耗仅为45nm的70%-50%。
据悉，该联盟将全力对32nm芯片的研究力度，在今年第三季度，将通过原型设计巡回的方式，联合合作伙伴对其进行开发支持，明年下半年有望上市。
责任编辑：杨宇佳
