存储器技术
《一款多层单元两极选择相变存储器》
“A Multi-Level Cell Bipolar-Selected Phase Change Memory”
本文将介绍英特尔和意法半导体公司（ST Microelectronics）通过联合开发项目在相变存储器（PCM）方面取得的突破。两家公司联手打造了世界首个可展示的采用PCM技术的多层单元（MLC）设备。PCM的原理是基于改变一种硫属化合物材料（Ge2Sb2Te5，又名GST）的状态来进行数据存储。这是一种极有潜力的新型存储技术，它具有先进存储技术的许多最佳特性，能比传统闪存以更低的功耗实现极快的读取和写入速度，并实现更加稳定的数据保存。从每单元一比特转变为MLC还能以更低的单位字节成本大幅度提高存储密度，这使得MLC与PCM的结合成为一项巨大的技术进步。
·通过采用独特的编程算法，研究人员有效地创造了非晶态和晶态之间的另外两种状态。
·拿水（H20）的状态打比方，单层单元PCM好比是把H2O要么看作是液态（水），要么看作是固态（冰）。而通过采用MLC技术，研究人员表明他们可以控制GST并设置其4种状态。还是拿H20打比方，现在我们可以观察到以下状态：甚非晶态（气体或“00”）、非晶态（液体或“01”）、半晶态（带有部分冰块的液态或“10”）以及晶态（固态冰块或“11”）。
·该工艺展示9层铜互连层，并广泛采用低-k层间绝缘体，以便在采用无铅封装的同时提高功率和性能。
·英特尔和意法半导体曾经展示过采用PCM技术的180纳米制程4Mb存储阵列和90纳米制程的128Mb存储设备。此次2008年国际固态电路会议上发表的文章显示了采用PCM技术的多层单元（MLC）设备的数据。
《一款采用自对准接触工艺的45纳米制程1Gb NOR闪存，具备5MB/s编程速度》
“A 45nm Self-Aligned-Contact Process 1Gb NOR Flash with 5MB/s Program Speed”
本文介绍的设计将最小的可靠闪存单元、5 MB/sec编程性能的先进45纳米技术、最小的外围电路和稳健的感应配置集于一身。为降低生产成本并提供更高的性能，必须迅速过渡到下一技术节点。要市场上取胜，全新的45纳米光刻技术必须将每字节成本降低50%，同时提供更高的编程性能。然而，每一代的光刻技术都证明，很难制造出可靠的闪存多层单元（MLC）并降低阵列周围的外围电路对晶片尺寸的影响，对于低密度产品而言尤其困难。
·本文介绍了自对准接触（SAC）工艺架构，该架构有助于减小单元尺寸并提高闪存单元的可靠性。
·为实现5MB/s的编程性能，需要开发一系列新型电路技术。这包括更大的编程带宽、更快的校验模式、高电压模式中更高的回转速率、程序微码的最大吞吐量，以及更低的控制硬件延迟。
·采用了创新的电路技术克服有害作用，如单个单元电荷损失/增益、 感应电荷损失，以及随机电报信号噪声等。
·输入补偿更低、元件数量更少的全新感知配置扩大了MLC的感知范围。研究结果表明，1 sigma Vt错配的输入补偿电压不到1mV，感知放大补偿（SAOS）减少了70%。
·要实现1Gb的晶片尺寸达到30平方毫米这一远大目标，行地址解码器、块冗余配置、电荷泵和逻辑电路中的外围电路必须进行更多改进。
《一款采用45纳米高-K金属栅极CMOS技术、可增强动态稳定性的153Mb-SRAM设计》
“A 153Mb-SRAM Design with Dynamic Stability Enhancement and Leakage Reduction in 45nm High-Κ Metal-Gate CMOS Technology”
英特尔开发了业界首个45纳米高-K栅介质+金属栅极工艺，与其65纳米制造工艺相比，它能提供2倍的芯片上晶体管密度，漏电量减少10倍，切换频率提高27%。基于这项技术，英特尔开发了一款高性能、低功耗的SRAM。英特尔已经推出了32款基于其45纳米高-K金属栅极技术的产品。
·英特尔的45纳米制程SRAM充分利用了高-K栅介质+金属栅极晶体管技术在功耗和性能等规模上的显著优势，并且它支持比原来大50%的片上L2（6MB）缓存，用于第二代英特尔Core™ 2 Duo和Core 2 Quad处理器的快速大量生产。小型SRAM单元有利于在处理器内集成更大容量的缓存，从而帮助其提高性能。
·英特尔的SRAM设计为大批量生产展示了稳健时间控制配置，与高效的功率管理电路一起，使电路能更好地适应型号变化，并有助于提高生产成品率。
·英特尔开发了第二代动态休眠技术，进一步最大限度地降低大型缓存在所有进程、电压和温度变化状态下的功耗。这一增强型设计使得英特尔能进一步降低片上缓存的功耗。
·英特尔还开发了一种叫做动态体偏压（dynamic body biasing）的新型电路技术，可进一步提高SRAM单元未来的可扩展性。
《一款50纳米制程8Gb NAND闪存，具有100MB/s编程吞吐量和200MB/s DDR接口》
“A 50nm 8Gb NAND Flash Memory with 100MB/s Program Throughput and 200MB/s DDR Interface”
本文将介绍英特尔和Micron最近推出的新技术。在本文中，技术人员将探讨一种新的高速NAND （HS-NAND）闪存技术，该技术能大幅度增强采用硅片做存储器的设备的数据存取和传输。这项新技术由英特尔和Micron联合开发，并由双方的合资NAND闪存公司——IM闪存技术（IMFT）制造。该技术的优势包括：
·比传统的NAND闪存速度快5倍，使计算、视频、图片及其他计算应用的数据能在极短的时间内完成传输。
·通过采用全新的ONFI 2.0标准和具有更高时钟速度的4层架构，读取数据的速度达到200MB/s、写入速度可达100MB/s。
·相比而言，传统的单层单元NAND闪存的数据读取速度仅为40 MB/s，数据写入速度仅为不到20 MB/s。
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