韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor Inc.）开发出了DDR2方式的1Gbit移动DRAM，电源电压为1.2V，实现了800Mbps的最大数据传输速度（英文发布资料）。主要面向高性能的便携终端。 该产品符合JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）正在制定最终标准的LPDDR2（Low Power DDR2）规格。采用66nm工艺技术制造。封装尺寸为9mm×12mm。预定2008年第四季度开始量产。责任编辑:董建伟
韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor Inc.）开发出了DDR2方式的1Gbit移动DRAM，电源电压为1.2V，实现了800Mbps的最大数据传输速度（英文发布资料）。主要面向高性能的便携终端。
该产品符合JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）正在制定最终标准的LPDDR2（Low Power DDR2）规格。采用66nm工艺技术制造。封装尺寸为9mm×12mm。预定2008年第四季度开始量产。
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