NAND一直是全球闪存市场主流，就连闪存技术霸主东芝（Toshiba）也仍然在采用NAND闪存架构，不过，日前东芝在日本所举行VLSI座谈会上提到，将转向3D堆叠架构技术以提高NAND闪存的容量，而该技术与旺宏（MXIC）微电子先前所公开展示BE-SONOS（Bandgap Engineered SONOS，能隙工程氮化膜阱）技术很大程度上是一样的，如果业界开始采用3D架构，将来旺宏将有机会借由BE-SONOS获得可观的专利授权金。不过至于何时开始采用3D架构生产闪存，东芝还没有正面回答。
内存业界已经有这样的体会，NAND闪存芯片技术到45纳米制程技术时就会遭遇物理极限的瓶颈，而当前旺宏所独有BE-SONOS，可能是业界最可行的新一代NAND闪存芯片技术。由于旺宏拥有此技术及专利，因此，将来除了有可能和旺宏成为合作伙伴的奇梦达（Qimonda）之外，任何厂商如果想采用此技术生产数据闪存芯片，都需要经过旺宏的授权，并支付实际销售额约3％的权利金。
内存业者表示，BE-SONOS以3D架构为基础，单一芯片容量理论值可达100GB，是NAND闪存芯片取代传统硬盘最佳方案，未来如果被广泛采用，光是相关的权利金，就可让旺宏躺着收钱也收不完，如果加上其它储存产品在消费电子产品方面应用，商机将无可估量，而这也是东芝不得不开始加紧脚步、快速切入SONOS研发领域的原因。
不过，东芝尚未对外证实何时会开始采用SONOS技术量产数据闪存产品，也没有提到会做到多大的容量及可能面临的挑战，一切都还仅限于技术研发阶段，离真正量产的时间还有一段距离。
至于三星电子（Samsung Electronics）也开发出一种类似SONOS的技术，代号为Tanos。三星对外声称，已到最后收尾阶段，再过几个月就可以进入量产阶段，目前得知三星将会在2008年正式开始投产Tanos的数据闪存产品。
旺宏方面，董事长吴敏求日前对外表示，尽管短期内不会开始采用BE-SONOS量产闪存商品，但预计到2010年左右，将有可能采用45纳米制程投产BE-SONOS架构的数据闪存商品。
值得注意的是，目前生产NAND闪存主要来自于浮栅技术（Floating gate），而SONOS几乎是与浮栅同时问世的，只是当时的SONOS如果想大量投产，还有一些瓶颈需要克服，因此，几乎没有业者继续发展下去，直到近期发现将来要进入45纳米制程以下，如果不采用SONOS技术，势必有物理极限无法克服，因此，业者必须硬着头皮展开研发，以求让SONOS技术早日进入商业化阶段。
责任编辑：杨宇佳
