目前韩国两大DRAM厂商三星电子（Samsung）以及海力士（Hynix）计划自2007 年的第四季起开始将其自1Gb的DRAM占总体产量的比重，由目前的10％大幅拉升至30％-40％，且预期自2008年下半年起1Gb的 DRAM芯片有望将成为市场主流规格，而这样的投产进度比原先市场的预期提前了一年左右，不过DRAM厂商表示，到目前为止台系DRAM厂商尚未开始真正为量产1Gb的DRAM做准备，因此未来台系厂商如果投产更多512Mb的DRAM芯片，恐怕将身陷泥沼。
DRAM厂商表示，目前三星电子量产1Gb DRAM芯片的进度相对顺畅，据了解，三星电子已计划在2007年底将68纳米制程技术的1Gb的DRAM产出量，提升到占总体产能比重，由现阶段的10％-15％急增至30％-40％。而据了解到了明年上半年，三星电子产出1Gb的DRAM的产能比重将进一步再拉升至50％以上，届时其报价将会低于两颗512Mb的DRAM芯片的价格。
无独有偶，来自海力士方面的消息也进一步指出，海力士已计划到今年底将其66纳米制程1Gb的DRAM产能占总体产量的比重由目前的10％提高至40％，这样的看法与三星电子不谋而合，而事实上两大韩系DRAM厂商之所以如此积极，最主要目的还是希望拉大与其余竞争对手的差距。
对于韩系DRAM厂商如此积极投产1Gb的DRAM芯片，台系DRAM厂商指出，到目前为止台系DRAM厂商确实还是以生产512Mb的DRAM芯片为主，至于1Gb DRAM芯片则还是大多仅限于试产阶段，也就是说一旦PC OEM厂商认为采用两颗512Mb的DRAM芯片成本远不如单颗的1Gb的DRAM，到时则无法避免舍弃512Mb改大量采用1Gb，而到时台系DRAM厂商的512Mb的DRAM芯片极可有可能将沦为“便宜货”。
不过日前集邦科技表示，上半年DRAM芯片价格大跌，带动OEM计算机厂商纷纷将下半年2GB的DRAM模块搭载率提高，预期可达30％以上水平，也因此将有助于改善DRAM市场供过于求的情况，下半年厂商的获利希望主要来自成本的下降而非价格的上扬。下半年台系厂商70纳米的进度在下半年也更加速，包括力晶下半年将进行70纳米制程技术1Gb芯片的量试，预计DRAM厂商的1Gb的 70纳米制程技术良品率稳定后，1Gb芯片4美元的价格利润仍可以达到25％以上。
而事实上先前市调机构iSuppli也曾经指出，2007年第四季全球1Gb的DRAM芯片占总体DRAM出货量的比重将由2007年第一季1.8％攀升至9％-10％，并于2008年第四季度快速提高至约29％-30％。iSuppli原先预期DRAM市场下一次的主流规格转换时点将在2009年下半年，而这样的进度对于台系DRAM厂商来说将有很大程度的威胁。
责任编辑：杨宇佳
