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同三星抗争 东芝明年底量产30nm闪存芯片

发布时间:2007.10.11 04:58     来源:赛迪网    作者:一个人的战役

  据日本媒体报道,东芝打算在2009年投产30nm工艺制程的闪存芯片,并且将会以较大规模进行投产,增强自身实力,与三星在闪存方面展开深度竞争。

  得益于30nm工艺制程,东芝的闪存成本将会得到有效的控制,仅为现在的一半左右,从而更具有价格方面的优势,强有力的巩固东芝在全球闪存芯片业第二名的地位。

  在计划投产30nm闪存芯片之前,东芝早已计划好在明年3月份开设新的工厂量产43nm工艺制程的闪存芯片,而且这个工厂也会成为30nm闪存芯片生产线的生产地。

责任编辑:杨宇佳


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