根据集邦科技（DRAMeXchange）最新出炉的第三季NAND闪存营收市占率报告指出，NAND闪存品牌厂商在2007年第三季整体营收表现亮丽，逼近三十九亿美元，比第二季增长了36.8%；整体NAND闪存位出货量相较于第二季增长约30%；而就营收排行而言，三星（Samsung）如预期再度蝉连冠军，东芝（Toshiba）居次，而海力士（Hynix）、美光（Micron）和英特尔（Intel）营收均有显著的增长。
由于第三季为传统NAND闪存下游客户的备货旺季，加上三星八月初突发的停电事件影响，造成NAND闪存市场供应吃紧，使得第三季NAND闪存均价上涨约5%以上。虽然厂商在第三季有提高NAND闪存的投片量及MLC的生产比重，但由于部份NAND闪存厂商5Xnm新制程仍处在调整期阶段，因此整体的位出货量，比第二季增长约30%。
前三名NAND闪存厂商整体营收市占率为87.1%，市场集中度仍然很高
三星NAND闪存在第三季的营收市占率为39.8%，虽比第二季的44.3%稍微下滑，但仍然稳坐NAND闪存厂的营收龙头。由于三星的器兴（Giheung）厂区在八月初发生停电的突发事件，使产出量稍微受到影响，加上50nm新制程技术在第三季仍处于调整期，因此NAND闪存位出货量仅较第二季增长约3%，但因为SLC与MLC的价格都有明显的上涨，因此营收仍比第二季增长了22.9%，约十五亿五千万美元。
位居亚军的东芝，在第三季NAND闪存营收市占率为24.9%，与第二季相近，主因是东芝持续增加了12" Fab 3 NAND闪存的投片量及制程技术的提升，使得出货量仍然持续增加，因此营收仍比第二季增长了36.1%，约九亿七千万美元。
第三名的海力士在第三季的营收市占率为22.4%，比第二季的16.9%明显提高，主要是因为海力士在第三季将12" Fab M10也投入NAND闪存的生产，使得第三季的位出货量大幅增长92%。虽因促销策略使第三季NAND闪存均价小跌约6%，但NAND闪存整体营收仍比第二季增加81.1%，达到八亿七千万美元。
IM Flash成绩亮眼，营收QoQ大幅增长
英特尔与美光合资的IM Flash在第三季受惠于NAND闪存价格持续上涨 ，NAND闪存投片量及制程技术的持续提升，带动美光与英特尔的NAND闪存营收分别都比第二季大幅增长达73.7%及77.8%，所以第三季的营收市占率也分别上升到6.1%及2.5%。
意法半导体（STMicro）在第三季因来自MCP（多芯片封装技术）的相关应用业务仍持续增加，使得NAND闪存营收增长约12.2%，意法半导体的营收市占率则为2.4%。同时2007年底前，意法半导体也计划与英特尔合资成立Numonyx来生产Flash memory的产品。
瑞萨（Renesas）因策略上自2007年起将会持续降低自有AG-AND Flash的生产比重，并转由合作伙伴力晶为其代工，所以瑞萨/力晶阵营营收比第二季下滑约33.9%，而瑞萨/力晶第三季的营收市占率则为2.1%，同时力晶在今年第四季将会开始生产NAND闪存新产品。
责任编辑：杨宇佳
