11月上旬NAND闪存合约价格大致跌幅约为0-5%，比前两个月跌幅明显缩小，主要是因为下游客户在10月已陆续进行降低库存的动作，加上市场预期11月中旬要开始准备年底旺季的备货需求，根据集邦科技（DRAMeXchange）观察，NAND闪存价格走势在11月初已经出现止跌回稳的现象。随着NAND闪存供货商5X纳米制程产品供应量提高后，下游客户采购颗粒开始转向以8Gb和16Gb MLC为主流，导致TSOP 4G MLC颗粒跌幅约为11%，相较于其它规格来得显著。有鉴于9月以来NAND闪存价格的连续下跌幅度已大，集邦科技预期NAND闪存合约价在年终假期销售旺季前的需求支持下，短期内可望呈现平稳的走势。
而过去数月，下游闪存卡业者生产1GB microSD时，一直面临原料不足的窘境，主要是因为上游供货商的5X纳米8Gb晶圆产出有限；随着供货商制程良率的不断改善，集邦科技预估今年底前缺货问题将可逐渐获得缓解。
原本下游闪存卡业者生产1GB microSD是用两颗6X纳米的4Gb芯片堆栈封装，但随着上游供货商的制程能力提升，业者可以只用一颗5X纳米的8Gb芯片进行封装，对于生产1GB microSD上有相对的成本优势存在；随着供货商5X纳米8Gb良率问题已逐渐解决，闪存卡业者将较能满足手机用户在旺季对1GB microSD的强劲需求，使其在旺季的业绩也将因此而受惠提升。
责任编辑：杨宇佳
