着眼于2008年闪存市况将优于DRAM，美光（Micron）与英特尔（Intel）合资成立的NAND闪存厂IM Flash产能逐渐提升后，在美光基于资金规模，再投资后段封测设备的难度增加，该公司势必将后段封测产能增加外包。据了解，市场猜测，目前与美光关系良好、合作已久的唯一封测代工厂商南茂科技将有望受惠。而南茂对于2008年NAND闪存前景看好，预期有助于2008年整体闪存营收比重提升至30%，优于第三季度的25%。
美光与英特尔合资的NAND闪存厂商IM Flash目前季产能达4.5亿颗（以1G颗粒计算），随着NAND闪存市况看俏，IM Flash产出持续增加中，加上位于新加坡的12英寸工厂将在2008年下半开出新产能，增添后段封测需求。目前美光封测产能仍以in house为主，随着新产能持续增加，美光投资机台的脚步赶不上产能开出的速度，加上投资封测的资金庞大，对美光而言，释出外包订单是必然的。
目前南茂是美光唯一的封测代工厂，双方自2003年开始合作，原本订单是来自美光新加坡子公司，后来美光美国母公司也直接下单给南茂，在2007年第三季度以前，双方合作限于DDR2封装业务，合作关系良好，因此一旦美光释出NAND闪存封测订单，市场猜测南茂接单的机率最高。此外，南茂在第三季度确实新增NAND闪存客户，更使市场联想到该客户就是美光。
据了解，美光于9月底下单给南茂，第四季度起放量，目前NAND闪存封装月产量超过500万颗，加上DDR2封装，则美光占南茂营收比重逾10%。南茂十分看好闪存整体业务，估计第四季度闪存业务的季增率可超过10%，市场猜测，这主要受惠于飞索半导体（Spansion）的NOR闪存订单增加以及美光NAND闪存新订单的效益。另外，南茂估计闪存营收比重第三季度约25~26%，第四季度应可拉升至30%，希望2008年能够达到30%，其中NAND闪存将是2008年将是闪存业务增长的主要动能。
责任编辑：杨宇佳
