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美国美光科技（Micron Technology）已开始样品供货采用68nm工艺的DDR2规格DRAM的1GB产品。采用6F2（F为设计规则）技术的芯片面积为56mm2，在容量1GB的DDR2规格DRAM中，属于业界最小。该产品将从08年初面向服务器和便携产品等开始量产。 与上一代工艺相比，68nm工艺将耗电量削减了20％。美光预定在08年下半年，开始量产68nm工艺DDR3规格DRAM和低耗电DRAM。预计DDR3规格产品将实现最高1600Mb/秒的传输速度，主要用于数据中心的服务器和笔记本电脑等。 责任编辑：杨宇佳
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