英特尔将在ISSCC 2008上发布采用high-k绝缘膜和金属栅极的、基于45nm CMOS工艺的SRAM。电源电压为1.1V时，工作频率为3.5GHz。主要用于新一代“Core2”微处理器的二次缓存。
为提高低压工作时SRAM单元的稳定性，对单元的PMOS晶体管进行了动态体偏压（body bias）控制。除此之外，还配备有可编程控制LSI工作时的漏电电流的电路。内存单元的面积是0.346μm2。演讲的题目为“A 153Mb SRAM Design with Dynamic Stability Enhancement and Leakage Reduction in 45nm High-K Metal-Gate CMOS Technology”。
在65nm的LSI之前，逻辑LSI厂商的晶体管栅极绝缘膜一直采用SiON系材料等。但是工艺微细化发展到45nm之后，人们越来越担心在栅极绝缘膜厚度日趋减小的同时，漏电流也会猛增。通过采用high-k绝缘膜，可以减小漏电流，提高LSI的性能。
责任编辑：杨宇佳
